TJ30S06M3L(T6L1,NQ
| 工場モデル | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK |
| パッケージ | DPAK+ |
| 株式 | 151130 pcs |
| データシート | Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2000 | 6000 | 10000 |
|---|---|---|
| $0.293 | $0.282 | $0.275 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。151130のToshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +10V, -20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
| シリーズ | U-MOSVI |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 21.8mOhm @ 15A, 10V |
| 電力消費（最大） | 68W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3950 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Ta) |
| 基本製品番号 | TJ30S06 |
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