TJ20S04M3L(T6L1,NQ
工場モデル | TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 40V 20A DPAK |
パッケージ | DPAK+ |
株式 | 161603 pcs |
データシート | Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.476 | $0.427 | $0.333 | $0.275 | $0.217 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。161603のToshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 1mA |
Vgs(最大) | +10V, -20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
シリーズ | U-MOSVI |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22.2mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 41W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1850 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 37 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
基本製品番号 | TJ20S04 |
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