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TJ20S04M3L(T6L1,NQ Image
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ

工場モデル TJ20S04M3L(T6L1,NQ
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
パッケージ DPAK+
株式 161603 pcs
データシート Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.476 $0.427 $0.333 $0.275 $0.217
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。161603のToshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 1mA
Vgs(最大) +10V, -20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK+
シリーズ U-MOSVI
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 22.2mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大) 41W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1850 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 37 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Ta)
基本製品番号 TJ20S04

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データシート