SSM6G18NU,LF
| 工場モデル | SSM6G18NU,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN |
| パッケージ | 6-µDFN (2x2) |
| 株式 | 855635 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.199 | $0.151 | $0.094 | $0.064 | $0.05 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。855635のToshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU,LFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-µDFN (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 112mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) |
| 基本製品番号 | SSM6G18 |
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