Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SSM3K357R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K357R,LF

工場モデル SSM3K357R,LF
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
パッケージ SOT-23F
株式 751820 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.148 $0.119 $0.081 $0.06 $0.045
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。751820のToshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R,LFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 1mA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23F
シリーズ π-MOSV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.8Ohm @ 150mA, 5V
電力消費(最大) 1W (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-3 Flat Leads
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 60 pF @ 12 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 1.5 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 3V, 5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 650mA (Ta)
基本製品番号 SSM3K357

おすすめ商品

SSM3K357R,LF データテーブルPDF