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RN2110,LF(CB Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

RN2110,LF(CB

工場モデル RN2110,LF(CB
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
パッケージ SSM
株式 3185085 pcs
データシート RN2110,11
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000
$0.014
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3185085のToshiba Semiconductor and Storage RN2110,LF(CBの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ SSM
シリーズ -
抵抗器 - ベース(R1) 4.7 kOhms
電力 - 最大 100mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SC-75, SOT-416
他の名前 RN2110(T5L,F,T)
RN2110(T5LFT)TR
RN2110(T5LFT)TR-ND
RN2110,LF(CBTR
RN2110,LF(CT
RN2110LF(CBTR
RN2110LF(CTTR
RN2110LF(CTTR-ND
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 200MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

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RN2110,LF(CB データテーブルPDF

データシート