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RN1905FE,LF(CB Image
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RN1905FE,LF(CB

工場モデル RN1905FE,LF(CB
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
パッケージ ES6
株式 1766892 pcs
データシート RN1901FE-06FE
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 25 100 250 500 1000
$0.114 $0.103 $0.074 $0.058 $0.036 $0.031 $0.021
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1766892のToshiba Semiconductor and Storage RN1905FE,LF(CBの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ ES6
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 47 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 2.2 kOhms
電力 - 最大 100mW
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
製品属性 属性値
他の名前 RN1905FE(TE85LF)CT
RN1905FE(TE85LF)CT-ND
RN1905FELF(CBCT
RN1905FELF(CTCT
RN1905FELF(CTCT-ND
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

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