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HN4A06J(TE85L,F)

工場モデル HN4A06J(TE85L,F)
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
パッケージ SMV
株式 4417 pcs
データシート HN4A06J
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4417のToshiba Semiconductor and Storage HN4A06J(TE85L,F)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 120V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
サプライヤデバイスパッケージ SMV
シリーズ -
電力 - 最大 300mW
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース SC-74A, SOT-753
他の名前 HN4A06J(TE85LF)DKR
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 100MHz
詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 200 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

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データシート