HN2S02JE(TE85L,F)
| 工場モデル | HN2S02JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV |
| パッケージ | ESV |
| 株式 | 1275798 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.193 | $0.142 | $0.081 | $0.053 | $0.041 | $0.036 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1275798のToshiba Semiconductor and Storage HN2S02JE(TE85L,F)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 600 mV @ 100 mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 40 V |
| 技術 | Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | ESV |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | SOT-553 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | 125°C (Max) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ダイオード構成 | 2 Independent |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 40 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 100mA |
| 基本製品番号 | HN2S02 |
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