HN1B01F-GR(TE85L,F
工場モデル | HN1B01F-GR(TE85L,F |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 |
パッケージ | SM6 |
株式 | 3959 pcs |
データシート | HN1B01F |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 10mA, 100mA |
トランジスタ型式 | NPN, PNP |
サプライヤデバイスパッケージ | SM6 |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 300mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 |
他の名前 | HN1B01F-GR(TE85LFCT |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 125°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 120MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 300mW Surface Mount SM6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 200 @ 2mA, 6V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 150mA |
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