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Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

工場モデル BAS316,H3F
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
パッケージ USC
株式 3000222 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.065 $0.059 $0.032 $0.02 $0.013
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3000222のToshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.25 V @ 150 mA
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ USC
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 3 ns
パッケージ/ケース SC-76, SOD-323
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション 150°C (Max)
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 200 nA @ 80 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 250mA
Vrと、F @キャパシタンス 0.35pF @ 0V, 1MHz
基本製品番号 BAS316

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