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2SJ304(F)

工場モデル 2SJ304(F)
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
パッケージ TO-220NIS
株式 4201 pcs
データシート Mosfets Prod Guide2SJ304
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4201のToshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220NIS
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 120mOhm @ 7A, 10V
電力消費（最大） 40W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Bulk
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 14A (Ta)
基本製品番号 2SJ304

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データシート

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