TSM4ND65CI
| 工場モデル | TSM4ND65CI |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 4A ITO220 |
| パッケージ | ITO-220 |
| 株式 | 95898 pcs |
| データシート | TSM4ND65CI |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.11 | $0.999 | $0.803 | $0.66 | $0.547 | $0.509 | $0.49 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。95898のTaiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CIの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ITO-220 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 41.6W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 596 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
| 基本製品番号 | TSM4 |
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