TSM10ND60CI
工場モデル | TSM10ND60CI |
---|---|
メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
詳細な説明 | 600V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW |
パッケージ | ITO-220 |
株式 | 48991 pcs |
データシート | TSM10ND60CI |
提案された価格 (米ドルでの測定)
4000 |
---|
$0.82 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。48991のTaiwan Semiconductor Corporation TSM10ND60CIの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.8V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | ITO-220 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 56.8W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1928 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |
基本製品番号 | TSM10 |
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