RS1JL MTG
| 工場モデル | RS1JL MTG |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 詳細な説明 | DIODE GP 600V 800MA SUB SMA |
| パッケージ | Sub SMA |
| 株式 | 4133 pcs |
| データシート | RS1AL - RS1ML |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4133のTaiwan Semiconductor Corporation RS1JL MTGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 800 mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 250 ns |
| パッケージ/ケース | DO-219AB |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 600 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 800mA |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 基本製品番号 | RS1J |
おすすめ商品
-
RS1JLH
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERYTaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JHE3_A/I
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1JL R3G
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL RVG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL RTG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JHR3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL RHG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL RQG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL MQG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL RUG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JLHM2G
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JHM2G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTSC (Taiwan Semiconductor) -
RS1JL
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERYTaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL RFG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JHE3_A/H
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1JL M2G
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JL MHG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JLHMHG
DIODE GP 600V 800MA SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
RS1JHE3/61T
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1JHE3/5AT
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division