GBU803H
工場モデル | GBU803H |
---|---|
メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
詳細な説明 | DIODE BRIDGE 8A 200V GBU |
パッケージ | GBU |
株式 | 5796 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - ピーク逆(最大) | 200 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 8 A |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | GBU |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ/ケース | 4-ESIP, GBU |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
ダイオードタイプ | Single Phase |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 8 A |
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