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1N5408GHB0G

工場モデル 1N5408GHB0G
メーカー Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明 DIODE GEN PURP 3A DO201AD
パッケージ DO-201AD
株式 5259 pcs
データシート 1N5400G - 1N5408G
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5259のTaiwan Semiconductor Corporation 1N5408GHB0Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1 V @ 3 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1000 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-201AD
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ Automotive, AEC-Q101
パッケージ/ケース DO-201AD, Axial
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5 µA @ 1000 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 3A
Vrと、F @キャパシタンス 25pF @ 4V, 1MHz
基本製品番号 1N5408

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