1N1612R
工場モデル | 1N1612R |
---|---|
メーカー | Solid State Inc. |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4 |
パッケージ | DO-4 |
株式 | 56167 pcs |
データシート | Silicon Power Rectifier |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10 |
---|
$0.747 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSolid State Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。56167のSolid State Inc. 1N1612Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.3 V @ 30 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 50 V |
技術 | Standard, Reverse Polarity |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-4 |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | DO-203AA, DO-4, Stud |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Box |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C |
装着タイプ | Stud Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 50 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 16A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
おすすめ商品
-
1N1586R
DIODE GEN PURP REV 500V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1612A
DIODE GEN PURP 50V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1613R
DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1586
DIODE GEN PURP 500V 3A DO4Microchip Technology -
1N1613RA
DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1613R
DIODE GEN PURP 100V 7A DO4Microchip Technology -
1N1587R
DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1586
DIODE GEN PURP 500V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1613
DIODE GEN PURP 100V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1613A
DIODE GEN PURP 100V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1612A
DIODE GEN PURP 50V 5A DO4Microchip Technology -
1N1612R
DIODE GEN PURP 50V 7A DO4Microchip Technology -
1N1612
DIODE GEN PURP 50V 5A DO4Microchip Technology -
1N1612RA
DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1612
DIODE GEN PURP 50V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1613
DIODE GEN PURP 100V 16A DO4Microchip Technology -
1N1613A
DIODE GEN PURP 100V 5A DO4Microchip Technology -
1N1587
DIODE GEN PURP 600V 3A DO4Microchip Technology -
1N1587
DIODE GEN PURP 600V 16A DO4Solid State Inc. -
1N1614
DIODE GEN PURP 200V 16A DO4Solid State Inc.