S4D20120GTR
工場モデル | S4D20120GTR |
---|---|
メーカー | SMC Diode Solutions |
詳細な説明 | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S |
パッケージ | D2PAK |
株式 | 15327 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$2.587 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSMC Diode Solutionsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。15327のSMC Diode Solutions S4D20120GTRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.8 V @ 20 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 µA @ 1200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 20A |
Vrと、F @キャパシタンス | 721pF @ 0V, 1MHz |
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