S2M0025120D

工場モデル	S2M0025120D
メーカー	SMC Diode Solutions
詳細な説明	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
パッケージ	TO-247AD
株式	2555 pcs
データシート	S2M0025120D

提案された価格（米ドルでの測定）

1	10	100
$16.445	$15.344	$13.322

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSMC Diode Solutionsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2555のSMC Diode Solutions S2M0025120Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 15mA
Vgs（最大）	+25V, -10V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247AD
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	34mOhm @ 50A, 20V
電力消費（最大）	446W (Tc)
パッケージ/ケース	TO-247-3
パッケージ	Tube

製品属性	属性値
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4402 pF @ 1000 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	130 nC @ 20 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	63A (Tj)

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