Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STWA50N65DM2AG
STWA50N65DM2AG Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STWA50N65DM2AG

工場モデル STWA50N65DM2AG
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 38A TO247
パッケージ TO-247-3
株式 22025 pcs
データシート Wafer 15/Feb/2019STWA50N65DM2AG
提案された価格 （米ドルでの測定）
600
$2.103
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。22025のSTMicroelectronics STWA50N65DM2AGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 87mOhm @ 19A, 10V
電力消費（最大） 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3200 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 69 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Tc)
基本製品番号 STWA50

おすすめ商品

STWA50N65DM2AG データテーブルPDF

データシート

STWA50N65DM2AGに関連した語彙

STWA50N65DM2AG関連コンポーネント