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STW50N65DM2AG

工場モデル STW50N65DM2AG
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 28A TO247
パッケージ TO-247-3
株式 22796 pcs
データシート Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 30/Aug/2019STW50N65DM2AG
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$2.921 $2.637 $2.183 $1.901 $1.656 $1.595
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。22796のSTMicroelectronics STW50N65DM2AGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 87mOhm @ 19A, 10V
電力消費(最大) 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3200 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 70 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 28A (Tc)
基本製品番号 STW50

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STW50N65DM2AG データテーブルPDF

データシート