Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STW11NB80
STW11NB80 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STW11NB80

工場モデル STW11NB80
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
パッケージ TO-247-3
株式 4692 pcs
データシート STW11NB80
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4692のSTMicroelectronics STW11NB80の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ PowerMESH™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 800mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費（最大） 190W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2900 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 70 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)
基本製品番号 STW11N

おすすめ商品

STW11NB80 データテーブルPDF

データシート

STW11NB80に関連した語彙

STW11NB80関連コンポーネント