STPSC4H065D
工場モデル | STPSC4H065D |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC |
パッケージ | TO-220AC |
株式 | 84487 pcs |
データシート | Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019IPD/15/9230 11/May/2015Manufacturing Extension 03/Jun/2021STPSC4H065 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.969 | $0.871 | $0.7 | $0.575 | $0.478 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.75 V @ 4 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 40 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A |
Vrと、F @キャパシタンス | 200pF @ 0V, 1MHz |
基本製品番号 | STPSC4 |
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