STP9NK65Z
| 工場モデル | STP9NK65Z |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB |
| パッケージ | TO-220 |
| 株式 | 57718 pcs |
| データシート | STP9NK65Z(FP)Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019Traceability 06/Mar/2017 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1000 |
|---|
| $0.714 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | SuperMESH™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 3.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1145 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.4A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP9NK65 |
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