Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STP8NM50
STP8NM50 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STP8NM50

工場モデル STP8NM50
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
パッケージ TO-220
株式 5665 pcs
データシート STP8NM50(FP)
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5665のSTMicroelectronics STP8NM50の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 800mOhm @ 2.5A, 10V
電力消費（最大） 100W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 415 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 550 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8A (Tc)
基本製品番号 STP8N

おすすめ商品

STP8NM50 データテーブルPDF

データシート

STP8NM50に関連した語彙

STP8NM50関連コンポーネント