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STP6N65M2 Image
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STP6N65M2

工場モデル STP6N65M2
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 4A TO220
パッケージ TO-220
株式 6258 pcs
データシート ST(F,P,U)6N65M2Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev OBS 3/Jul/2020Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6258のSTMicroelectronics STP6N65M2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ MDmesh™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.35Ohm @ 2A, 10V
電力消費（最大） 60W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 226 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 9.8 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A (Tc)
基本製品番号 STP6N

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データシート

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