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STP50NE10

工場モデル STP50NE10
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
パッケージ TO-220
株式 6451 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6451のSTMicroelectronics STP50NE10の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ STripFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 27mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 180W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6000 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 166 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
基本製品番号 STP50N

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