STP33N60DM2
| 工場モデル | STP33N60DM2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 |
| パッケージ | TO-220 |
| 株式 | 38279 pcs |
| データシート | ST(B,P,W)33N60DM2Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.142 | $1.923 | $1.576 | $1.341 | $1.131 | $1.075 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | MDmesh™ DM2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 12A, 10V |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1870 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP33 |
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