Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STP28N60M2
STP28N60M2 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STP28N60M2

工場モデル STP28N60M2
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 24A TO220
パッケージ TO-220
株式 73317 pcs
データシート STx28N60M2 DatasheetMult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.2 $1.077 $0.882 $0.751 $0.633 $0.602 $0.579
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。73317のSTMicroelectronics STP28N60M2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ MDmesh™ II Plus
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 150mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 170W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1370 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 37 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Tc)
基本製品番号 STP28

おすすめ商品

STP28N60M2 データテーブルPDF

データシート

STP28N60M2に関連した語彙

STP28N60M2関連コンポーネント