STP150N10F7
工場モデル | STP150N10F7 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 66439 pcs |
データシート | STx150N10F7Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.196 | $1.073 | $0.879 | $0.748 | $0.631 | $0.6 | $0.577 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
電力消費(最大) | 250W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8115 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 117 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 110A (Tc) |
基本製品番号 | STP150 |
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