STP13N60DM2
工場モデル | STP13N60DM2 |
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メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 100994 pcs |
データシート | New Molding Compound 13/Sep/2019STP13N60DM2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2000 |
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$0.323 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | MDmesh™ DM2 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 365mOhm @ 5.5A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 730 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Tc) |
基本製品番号 | STP13 |
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