STL8N10F7
工場モデル | STL8N10F7 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT |
パッケージ | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
株式 | 184603 pcs |
データシート | Carrier/Cover Tape Supplier 23/Sep/2021IPD/15/9333 21/Jul/2015STL8N10F7 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.551 | $0.493 | $0.384 | $0.317 | $0.251 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 3.5W (Ta), 50W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |
基本製品番号 | STL8 |
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