STL11N6F7
| 工場モデル | STL11N6F7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT |
| パッケージ | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| 株式 | 6350 pcs |
| データシート | STL11N6F7 DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETSMult Dev OBS 2/Apr/2020STL11N6F7 EOL 23/Oct/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| シリーズ | STripFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 5.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.9W (Ta), 48W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1035 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
| 基本製品番号 | STL11 |
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