STL100N10F7
工場モデル | STL100N10F7 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT |
パッケージ | PowerFlat™ (5x6) |
株式 | 86111 pcs |
データシート | STL100N10F7Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STripFET 21/Jul/2017Mult Dev Mark Chg 9/Sep/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.032 | $0.925 | $0.744 | $0.611 | $0.506 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) |
シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.3mOhm @ 19A, 10V |
電力消費(最大) | 5W (Ta), 100W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5680 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 80 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
基本製品番号 | STL100 |
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