Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STI24NM65N
STI24NM65N Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STI24NM65N

工場モデル STI24NM65N
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 4727 pcs
データシート STx24NM65N
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4727のSTMicroelectronics STI24NM65Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 190mOhm @ 9.5A, 10V
電力消費（最大） 160W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2500 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 70 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 19A (Tc)
基本製品番号 STI24N

おすすめ商品

STI24NM65N データテーブルPDF

データシート

STI24NM65Nに関連した語彙

STI24NM65N関連コンポーネント