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STI10NM60N

工場モデル STI10NM60N
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
パッケージ I2PAK (TO-262)
株式 91997 pcs
データシート TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013Multiple Devices 01/Aug/2014STx10NM60N
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.794 $0.713 $0.573 $0.471
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。91997のSTMicroelectronics STI10NM60Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
シリーズ MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 550mOhm @ 4A, 10V
電力消費（最大） 70W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 540 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 19 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
基本製品番号 STI10N

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データシート

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