STH180N4F6-2
工場モデル | STH180N4F6-2 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 |
パッケージ | H2Pak-2 |
株式 | 3931 pcs |
データシート | Mult Dev OBS 2/Apr/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 |
シリーズ | STripFET™ F6 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.4mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大) | 190W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7735 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 130 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
基本製品番号 | STH180 |
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