STH110N10F7-2
| 工場モデル | STH110N10F7-2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK |
| パッケージ | H2Pak-2 |
| 株式 | 27456 pcs |
| データシート | STH110N10F7-2,-6Mult Dev OBS 2/Apr/2020STripFET 21/Jul/2017 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 |
|---|---|
| $1.348 | $1.209 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 55A, 10V |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5117 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) |
| 基本製品番号 | STH110 |
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