STFI10N65K3
| 工場モデル | STFI10N65K3 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP |
| パッケージ | I2PAKFP (TO-281) |
| 株式 | 57709 pcs |
| データシート | STx(x)10N65K3Multiple Devices 01/Aug/2014 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.075 | $0.966 | $0.791 | $0.674 | $0.568 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAKFP (TO-281) |
| シリーズ | SuperMESH3™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 3.6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| 基本製品番号 | STFI10N |
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