STD6N60DM2
工場モデル | STD6N60DM2 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK |
パッケージ | D-PAK (TO-252) |
株式 | 201510 pcs |
データシート | Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STD6N60DM2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 |
---|---|---|
$0.236 | $0.224 | $0.215 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.75V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
シリーズ | MDmesh™ DM2 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.1Ohm @ 2.5A, 10V |
電力消費(最大) | 60W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 274 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tc) |
基本製品番号 | STD6N60 |
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