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STMicroelectronics

STD6N60DM2

工場モデル STD6N60DM2
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
パッケージ D-PAK (TO-252)
株式 201510 pcs
データシート Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STD6N60DM2
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 5000 12500
$0.236 $0.224 $0.215
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。201510のSTMicroelectronics STD6N60DM2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.75V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D-PAK (TO-252)
シリーズ MDmesh™ DM2
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
電力消費(最大) 60W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 274 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.2 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5A (Tc)
基本製品番号 STD6N60

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STD6N60DM2 データテーブルPDF

データシート