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STD2HNK60Z-1 Image
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STD2HNK60Z-1

工場モデル STD2HNK60Z-1
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
パッケージ TO-251 (IPAK)
株式 183917 pcs
データシート Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Assembly Site 22/Nov/2022STx2HNK60Z(x)
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.618 $0.551 $0.43 $0.355 $0.28 $0.261 $0.248 $0.239
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。183917のSTMicroelectronics STD2HNK60Z-1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 50µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-251 (IPAK)
シリーズ SuperMESH™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.8Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 45W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 280 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)
基本製品番号 STD2HNK60

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データシート

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