STD1NK60-1
工場モデル | STD1NK60-1 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 245237 pcs |
データシート | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021New Molding Compound 13/Sep/2019STD1NK60-1Mult Change 03-May-2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
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$0.409 | $0.367 | $0.286 | $0.236 | $0.186 | $0.174 | $0.165 | $0.159 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | SuperMESH™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 30W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 156 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A (Tc) |
基本製品番号 | STD1 |
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