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STD15N60M2-EP

工場モデル STD15N60M2-EP
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
パッケージ DPAK
株式 138499 pcs
データシート STD15N60M2-EPBox Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Assembly Site 22/Dec/2022Gate threshold voltage 10/Apr/2018
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.686 $0.615 $0.494 $0.406 $0.336
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。138499のSTMicroelectronics STD15N60M2-EPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ MDmesh™ M2-EP
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 378mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費(最大) 110W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 590 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 17 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Tc)
基本製品番号 STD15

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STD15N60M2-EP データテーブルPDF

データシート