Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STB6N80K5
STB6N80K5 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STB6N80K5

工場モデル STB6N80K5
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 87675 pcs
データシート Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPD/15/9124 20/Mar/2015ST(B,D,I,P)6N80K5
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$0.888 $0.797 $0.641 $0.526
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。87675のSTMicroelectronics STB6N80K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 100µA
Vgs(最大) 30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ SuperMESH5™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.6Ohm @ 2A, 10V
電力消費(最大) 85W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 255 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 7.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.5A (Tc)
基本製品番号 STB6N80

おすすめ商品

STB6N80K5 データテーブルPDF

データシート