STB4NK60Z-1
| 工場モデル | STB4NK60Z-1 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK |
| パッケージ | I2PAK |
| 株式 | 297571 pcs |
| データシート | Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013STx4NK60Z(FP,-1) |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2000 |
|---|
| $0.151 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
| シリーズ | SuperMESH™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 510 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB4NK60 |
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