Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STB150NF55T4
STB150NF55T4 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STB150NF55T4

工場モデル STB150NF55T4
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 47766 pcs
データシート STx150NF55Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Devices Testing 10/May/2018Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014Power MOSFET 14/Dec/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$1.534 $1.378 $1.129 $0.961
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。47766のSTMicroelectronics STB150NF55T4の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ STripFET™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6mOhm @ 60A, 10V
電力消費（最大） 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4400 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 190 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
基本製品番号 STB150

おすすめ商品

STB150NF55T4 データテーブルPDF

データシート

STB150NF55T4に関連した語彙

STB150NF55T4関連コンポーネント