L6387ED013TR
| 工場モデル | L6387ED013TR |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 121363 pcs |
| データシート | L6387ELeadframe Design 15/May/2017Mult Dev Assembly Chg 30/Mar/2020Mult Dev Inner Pkg Chg 30/Oct/2019Material Barrier Bag 17/Dec/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.648 | $0.583 | $0.55 | $0.468 | $0.44 | $0.385 | $0.319 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。121363のSTMicroelectronics L6387ED013TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電源電圧 - | 17V (Max) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 50ns, 30ns |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -45°C ~ 125°C (TJ) |
| 入力周波数 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.5V, 3.6V |
| 入力タイプ | Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 400mA, 650mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent |
| 基本製品番号 | L6387 |
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