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SKI10123

工場モデル SKI10123
メーカー Sanken Electric USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 66A TO263
パッケージ TO-263
株式 4533 pcs
データシート DK OBS NOTICESKI10123
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSanken Electric USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4533のSanken Electric USA Inc. SKI10123の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 1.5mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 11.6mOhm @ 33A, 10V
電力消費（最大） 135W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6420 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 88.8 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 66A (Tc)

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