UPA2732UT1A-E1-AY
| 工場モデル | UPA2732UT1A-E1-AY |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America Inc |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 40A 8DFN |
| パッケージ | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| 株式 | 5566 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.7mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3280 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 133 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Ta) |
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