RQK0609CQDQS#H1
工場モデル | RQK0609CQDQS#H1 |
---|---|
メーカー | Renesas Electronics America Inc |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 4A UPAK |
パッケージ | UPAK |
株式 | 5065 pcs |
データシート | Mult Dev EOL 15/Dec/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022RQK0609CQDQS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | UPAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-243AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 470 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) |
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